Reaction Bonded Silicon Carbide Tile
Awantajên Reaksiyonê Bonded Silicon Carbide
1) Kêmbûn.
2) Berxwedana korozyonê.
3) Berxwedana lixwekirinê.
4) Berxwedana oksîdasyonê.
5) Berxwedana abrasion.
6) Berxwedana şokê ya germî ya baş (ji ber hevbera berbelavbûna germî ya kêm û guheztina germî ya bilind).
7) Hêza hêja li germahiya bilind.
8) Kontrolkirina pîvanê ya baş a şeklên tevlihev.
Berhemên Berxwedêr: Pelqeya karbîd a silicon, kerba silicon carbide, xêzkirina boriyê, konê boriyê, cyclone, hwd.
Mobilên kiln: Plate, Beam, Roller, Nozê şewitandî, tîrêjê dor, tîrêjê çargoşe, tîrêjê qulikê. Crucible, Sagger, hwd.
Yên din: Nozzles desulfurization
Serlêdana Reaksiyonê Silicon Carbide:
Karbîda siliconê ya bi reaksiyonê ve îsbat kiriye ku ji bo serîlêdanên cilê yên wekî xetên boriyê, Nozzle, çokên kontrolkirina herikînê û hêmanên kincên mezin ên di madenê de û her weha pîşesaziyên din de hilbijarkek materyalek hêja ye.
Parametreya sereke
| Taybetmendiyên | Units | SiSiC/RBSIC |
| Dendika mezin (SiC) | V01% | ≥85 |
| Density Bulk | g/cm3 | 3.01 |
| Poroziya xuya | % | ＜0.1 |
| Modula şikestinê di 20℃ de | Mpa | 250 |
| Modula şikestinê li 1200℃ | Mpa | 280 |
| Modula elasticîteyê li 20℃ | Gpa | 330 |
| Zehmetiya şikandinê | Mpa * m1/2 | 3.3 |
| Têkiliya germî li 1200 ℃ | wm-1.k-1 | 45 |
| Berfirehbûna germî li 1200℃ | a×10-6/℃ | 4.5 |
| Berxwedana şoka termal li 1200℃ | Gelek baş | |
| Rêjeya tîrêjê ya germê | <0.9 | |
| Max.germahiya xebatê | ℃ | 1350 |
Mezinayî
dikare li gorî daxwazên xerîdar were xweş kirin.
Xizmetkar
Em fermanên xwerû qebûl dikin.
Heke hûn dixwazin bêtir agahdariya hilberê bizanibin, bi xêr hatin ku bi me re têkilî daynin û em ê hilbera herî maqûl û karûbarê çêtirîn bidin we!
